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J-GLOBAL ID：201802291882331179   整理番号：18A1254061

セレン化ガリウム超薄膜の高速酸化に及ぼす照射とSe空孔の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of illumination and Se vacancies on fast oxidation of ultrathin gallium selenide

著者 (4件)： Shi Li (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Li Qiang ,  Ouyang Yixin ,  Wang Jinlan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 25  ページ： 12180-12186  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化ガリウム(GaSe)は,その励起特性,すなわち,大きくて速い光応答,高いキャリア移動度,および非線形光学特性により,ユニークなプラットフォームとして最近出現した。しかしながら,数日間の曝露は,周囲条件下での超薄GaSeの迅速酸化を引き起こし,酸化機構は不明のままである。密度汎関数理論計算とab initio分子動力学シミュレーションにより,超薄GaSeの酸化を引き起こす可能な源を包括的に調べた。著者らの結果は,照明とSe空格子点がGaSeの高速酸化を誘起することを示した。照射下で,GaSeの表面からの光励起電子は酸素分子に効果的に移動し,その結果,GaSeと反応するスーパーオキシドアニオン(O_2-)が生成した。さらに,Se空格子点はO_2と直接反応した。両ケースにおいて,Ga-Se結合はGa-O結合により連続的に置換され,最終的にGaSeの完全分解をもたらし,酸化生成物Ga_2O_3と元素Seの形成を伴った。ここで明らかにされた包括的な劣化メカニズムは,GaSeベースのデバイスにおける適切な保護戦略の開発のための重要な基礎を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ポンピング ,  励起 ,  スーパーオキシドアニオン ,  *超薄膜 ,  *酸化 ,  *高速度 ,  キャリア移動度 ,  直接反応 ,  *セレン
準シソーラス用語： 分子状酸素 ,  分子動力学シミュレーション ,  密度汎関数計算 ,  非線形光学特性 ,  GaSe ,  *セレン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： セレン化ガリウム ,  超薄膜 ,  酸化 ,  Se ,  空孔