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J-GLOBAL ID：201802292006119190   整理番号：18A2242828

原子的に鋭い界面を持つEuO(111)/Si(111)スピンフィルタトンネル接合におけるスピン分裂

Spin splitting in EuO(111)/Si(111) spin-filter tunnel junctions with atomically sharp interface

著者 (4件)： OHSUGI Rento (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  OMI Hiroo (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KROCKENBERGER Yoshiharu (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJIWARA Akira (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 11  ページ： 110304.1-110304.4  発行年： 2018年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーによりSi(111)基板上に成長させた強磁性EuOからなるスピン分裂障壁におけるトンネリングを実証した。高い結晶品質と原子的に鋭い界面を有する6nm厚のEuO膜に対して,35KのCurie温度以下でスピン分裂により駆動される障壁高さ低下を見出した。分裂エネルギーを20Kで,90%以上のスピン分極をもたらす0.56±0.03eVと決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  界面 ,  MBE成長 ,  強磁性体 ,  酸化ユウロピウム ,  Curie温度 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： *スピンフィルタ ,  *スピン分裂 ,  分子線エピタクシー ,  障壁高さ ,  シリコン(111)

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (34件)：

• R. Jansen, Nat. Mater. 11, 400 (2012).
• S. Manipatruni, D. E. Nikonov, and I. A. Young, Nat. Phys. 14, 338 (2018).
• S. Sugahara and M. Tanaka, J. Appl. Phys. 97, 10D503 (2005).
• J. S. Moodera, T. S. Santos, and T. Nagahama, J. Phys.: Condens. Matter 19, 165202 (2007).
• J. S. Moodera, R. Meservey, and X. Hao, Phys. Rev. Lett. 70, 853 (1993).

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  界面 ,  Si ,  スピンフィルタ ,  トンネル接合 ,  スピン分裂