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J-GLOBAL ID：201802292016734050   整理番号：18A0971907

温度依存電気特性によるPt/(100)β-Ga_2O_3Schottkyダイオードにおける不均一障壁分布のキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of the inhomogeneous barrier distribution in a Pt/(100)β-Ga₂O₃ Schottky diode via its temperature-dependent electrical properties

著者 (14件)： Jian Guangzhong (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  He Qiming (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Mu Wenxiang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Fu Bo (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Dong Hang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Qin Yuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhang Ying (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Xue Huiwen (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Jia Zhitai (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Tao Xutang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integration Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 015316-015316-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-Ga_2O_3はパワーエレクトロニクスデバイスに応用される超広バンドギャップ半導体である。種々の温度でのβ-Ga_2O_3デバイスの輸送特性を明らかにすることは,デバイス性能と信頼性を改善するために重要である。本研究では,低いON抵抗,高い順方向電流,大きな整流比のような良好な性能特性を持つPt/β-Ga_2O_3 Schottky障壁ダイオードを作製した。その温度依存電流-電圧および容量-電圧特性を種々の温度で測定した。熱電子放出理論を用いて特性ダイオードパラメータを導出した。温度を125Kから350Kに上げると,理想因子nは2.57から1.16に減少し,ゼロバイアス障壁高さΦ_b0は0.47Vから1.00Vに増加した。これは障壁高さ不均一性のGauss分布によって説明された。平均障壁高さΦb0=1.27Vとゼロバイアス標準偏差σ_0=0.13Vを得た。修正Richardsonプロットにより,36.02Åcm-2K-2のRichardson定数A*が得られた。これは,41.11A cm-2K-2の理論値に近い。容量-電圧および電流-電圧曲線を用いて決定した障壁高さの間の差は,障壁高さ不均一性のGauss分布とも一致した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  電流 ,  正規分布 ,  バンドギャップ ,  不均一性 ,  半導体 ,  *温度依存性 ,  信頼性 ,  オン抵抗 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  *電気特性 ,  熱電子放出
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  理想因子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 温度依存 ,  電気特性 ,  Pt ,  不均一 ,  障壁 ,  分布 ,  キャラクタリゼーション