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J-GLOBAL ID：201802292065600441   整理番号：18A1200895

自己触媒GaAsナノワイヤからの電界放出【JST・京大機械翻訳】

Field Emission from Self-Catalyzed GaAs Nanowires

著者 (10件)： Giubileo Filippo (CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n.132, I-84084 Fisciano, Italy) ,  Bartolomeo Antonio Di (CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n.132, I-84084 Fisciano, Italy) ,  Bartolomeo Antonio Di (Physics Department ‘E. R. Caianiello’, University of Salerno, via Giovanni Paolo II, I-84084 Fisciano, Italy) ,  Iemmo Laura (Physics Department ‘E. R. Caianiello’, University of Salerno, via Giovanni Paolo II, I-84084 Fisciano, Italy) ,  Luongo Giuseppe (CNR-SPIN Salerno, via Giovanni Paolo II n.132, I-84084 Fisciano, Italy) ,  Luongo Giuseppe (Physics Department ‘E. R. Caianiello’, University of Salerno, via Giovanni Paolo II, I-84084 Fisciano, Italy) ,  Passacantando Maurizio (Department of Physical and Chemical Science, University of L’Aquila, via Vetoio, Coppito, I-67100 L’Aquila, Italy) ,  Koivusalo Eero (Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland) ,  Hakkarainen Teemu V. (Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland) ,  Guina Mircea (Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 7  号： 9  ページ： 275  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)上に成長させた自己触媒GaAsナノワイヤからの電界放出の観測を報告した。測定はアノードとして機能するナノ制御タングステンチップを持つ走査電子顕微鏡チャンバー内で行った。実験データをFowler-Nordheim理論の枠内で解析した。単一ナノワイヤの先端から放出された10-7Aまでの安定な電流を示し,陽極-陰極距離d=350nmで112までの場増強因子βを持つ。陽極-陰極距離に対するβの線形依存性を見出した。また,Ga触媒液滴の存在がナノワイヤ先端からの電流の放出を抑制することを示した。これにより,ナノワイヤ側壁からの電界放出の検出が可能になった。これは,電場増強因子と安定性の減少により生じた。この研究はさらにGaAs技術を真空エレクトロニクス応用に拡張する。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *電界放出 ,  液滴 ,  *ヒ化ガリウム ,  線形性 ,  電場 ,  走査電子顕微鏡 ,  アノード ,  *ナノワイヤ ,  カソード
準シソーラス用語： ガリウム触媒 ,  チャンバ ,  シリコン(111) ,  *自己触媒 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電界放出 ,  半導体ナノワイヤ ,  ひ化ガリウム ,  Fowler-Nordheim理論 ,  電界増強因子

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (51件)：

• Wang, Q.H.; Yan, M.; Chang, R.P.H. Flat panel display prototype using gated carbon nanotube field emitters. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1294-1296.
• De Heer, W.A.; Ch telain, A.; Ugarte, D. A Carbon Nanotube Field-Emission Electron Source. Science 1995, 270, 1179-1180.
• De Jonge, N.; Allioux, M.; Oostveen, J.T.; Teo, K.B.K.; Milne, W.I. Optical Performance of Carbon-Nanotube Electron Sources. Phys. Rev. Lett. 2005, 94.
• Saito, Y.; Hata, K.; Takakura, A.; Yotani, J.; Uemura, S. Field emission of carbon nanotubes and its application as electron sources of ultra-high luminance light-source devices. Phys. B Condens. Matter 2002, 323, 30-37.
• Field Emission in Microwave Field. In Field Emission in Vacuum Microelectronics; Brodie, I.; Schwoebel, P. (Eds.) Springer US: Boston, MA, USA, 2005; pp. 57-69. ISBN 978-0-306-47450-7. Lin, P.-H.; Sie, C.-L.; Chen, C.-A.; Chang, H.-C.; Shih, Y.-T.; Chang, H.-Y.; Su, W.-J.; Lee, K.-Y. Field Emission Characteristics of the Structure of Vertically Aligned Carbon Nanotube Bundles. Nanoscale Res. Lett. 2015, 10.

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己触媒 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  電界放出