Yeh Chun-Cheng について
Institut de Science des Materiaux de Mulhouse (IS2M), CNRS - UMR 7361, Universite de Haute Alsace, 15 rue Jean Starcky, Mulhouse, 68057, France について
Colis Silviu について
IPCMS - Departement de Chimie et des Materiaux Inorganiques (DCMI), CNRS - UMR 7504, Universite de Strasbourg, 23 Rue du Loess, Strasbourg, 67200, France について
Fioux Philippe について
Institut de Science des Materiaux de Mulhouse (IS2M), CNRS - UMR 7361, Universite de Haute Alsace, 15 rue Jean Starcky, Mulhouse, 68057, France について
Zan Hsiao-Wen について
Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, 30010, Republic of China について
Berling Dominique について
Institut de Science des Materiaux de Mulhouse (IS2M), CNRS - UMR 7361, Universite de Haute Alsace, 15 rue Jean Starcky, Mulhouse, 68057, France について
Soppera Olivier について
Institut de Science des Materiaux de Mulhouse (IS2M), CNRS - UMR 7361, Universite de Haute Alsace, 15 rue Jean Starcky, Mulhouse, 68057, France について
Advanced Materials Interfaces について
SQUID について
強磁性 について
焼なまし について
前駆体 について
ドーピング について
クラスタ について
電気的性質 について
酸化亜鉛 について
不可逆性 について
パターン形成 について
ゼロ磁場冷却 について
熱アニーリング について
線幅 について
ナノスケール について
深紫外線 について
希薄磁性半導体 について
ドーピング について
nanostructure について
光パターン形成 について
ZnO について
固体デバイス製造技術一般 について
深紫外 について
パターン形成 について
ナノスケール について
強磁性 について
コバルト について
ドープ について
ZnO について