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J-GLOBAL ID：201802292113292246   整理番号：18A1030987

並列独立バイアスゲートを用いたOIP3>50dBmのSバンドGaN LNA【JST・京大機械翻訳】

S-band GaN LNA with OIP3 >50dBm using parallel independently biased gates

著者 (5件)： Saini Kanika (Bradley Dept. of Electrical and Computer Eng., Virginia Tech, Arlington, VA) ,  Ezzeddine Amin (AMCOM Communications Inc., Gaithersburg, MD) ,  Joudeh Waleed (AMCOM Communications Inc., Gaithersburg, MD) ,  Huang Ho (AMCOM Communications Inc., Gaithersburg, MD) ,  Raman Sanjay (Bradley Dept. of Electrical and Computer Eng., Virginia Tech, Arlington, VA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WAMICON  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNデバイスはGaAsデバイスに匹敵する雑音図形を持つが,非常に高い入力駆動に耐えることができる。本論文では,Pout~37dBmの2~4GHz(S-Band)からのGaN低雑音増幅器(LNA)の設計,1.8~3.5dBの雑音指数(NF),および48~54dBmの出力参照三次遮断点(OIP3)を示した。線形性能は出力ステージを分割することによって増加でき,それは2.5mmのゲート周辺を持ち,1.25mmの2つの部分にそれぞれ,それらのバイアスを最適化する。2つのFETをバイアスすると,IMD3成分の位相相殺とOIP3性能の改善が異なる。実験結果は,一つのゲートがクラスABにバイアスされ,もう一つのゲートが深いクラスABモードにバイアスされるとき,OIP3において9.5dBmまでの改善を示した。線形FOM(OIP3/Pdc)も改善され,より高いPoutで14に達した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バイアス ,  雑音 ,  線形性 ,  位相 ,  雑音指数 ,  *窒化ガリウム ,  低雑音増幅器 ,  最適化 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 遮断 ,  *Sバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バイアス ,  ゲート ,  Sバンド ,  GaN ,  LNA