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J-GLOBAL ID：201802292171333968   整理番号：18A1515323

光起電力応用のための非晶質In_xAl_1-xN薄膜の構造,形態,電気および光学特性【JST・京大機械翻訳】

Structural, morphological, electrical and optical properties of amorphous In_xAl_1-xN thin films for photovoltaic applications

著者 (10件)： Mulcue Nieto L.F. (Universidad Nacional de Colombia Sede Medellin, Calle 59 A N 63-20, Medellin, Antioquia, Colombia) ,  Mulcue Nieto L.F. (Universidad Autonoma de Manizales, Antigua Estacion de Ferrocarril, Manizales, Caldas, Colombia) ,  Saldarriaga W. (Universidad Nacional de Colombia Sede Medellin, Calle 59 A N 63-20, Medellin, Antioquia, Colombia) ,  de la Cruz W. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia UNAM, Carretera Tijuana-Ensenada Km. 107, C.P. 22860, Ensenada, B.C., Mexico) ,  Restrepo E. (Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales, Carrera 27 # 64-60, Manizales, Caldas, Colombia) ,  Acosta-Medina Carlos Daniel (Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales, Carrera 27 # 64-60, Manizales, Caldas, Colombia) ,  Sanchez N. (Grupo de investigacion EAYER, Centro de automatizacion Industrial, SENA Regional Caldas, Manizales, Caldas, Colombia) ,  Mendoza S. (Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales, Carrera 27 # 64-60, Manizales, Caldas, Colombia) ,  Duarte N. (Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales, Carrera 27 # 64-60, Manizales, Caldas, Colombia) ,  Mora-Lopez Llanos (Departamento de Lenguajes y Ciencias de la Computacion, ETSI Informatica, Universidad de Malaga, Campus de Teatinos, 29071 Malaga, Spain)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 499  ページ： 328-336  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムと窒化アルミニウム(In_xAl_1-xN)半導体材料は太陽電池を製造する優れた候補として2008年に仮定された。本研究では,In_xAl_1-xN(0.55≦x≦0.60)の非晶質層をRFスパッタリングマグネトロン技術を用いて合成し,それから光起電力応用におけるそれらの可能な使用について研究した。物理的,構造的,形態的,光学的および電気的性質を研究した。非晶質性をXRDジフラクトグラムによりチェックした。試料は非常に滑らかな表面を有し,AFMおよびSEM技術によると非常に低い粗さ値を有していた。InAlN膜の電気的性質をVan Der Pauw法とHall効果パラメータを用いて研究した。InN分率が増加すると体積キャリア濃度は減少した。移動度の範囲は6×10~-2と5×10~-1cm~2V~-1s-1の範囲で,結晶と多結晶試料で得られた値よりも低い。得られたバンドギャップ値は,太陽電池(1.9eV-2.3eV)の吸収層と窓層の両方で使用できた。興味深いことに,このEgの図は,多結晶試料に対して以前に得られた値に非常に近い。光吸収係数は,太陽電池(~10~5cm-1)で現在使用されている材料と比較して高かった。これは,In_xAl_1-xNに基づく光起電力素子におけるより薄い層を使用する可能性を意味する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  窒化アルミニウム ,  太陽電池 ,  多結晶 ,  移動度 ,  マグネトロン ,  インジウム ,  バンドギャップ ,  *光起電力 ,  *薄膜 ,  半導体材料 ,  X線回折 ,  キャリア密度 ,  *非晶質 ,  *光学的性質

著者キーワード (5件)： InAlN ,  インジウムと窒化アルミニウム ,  薄膜太陽電池 ,  III族窒化物 ,  非晶質半導体

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力 ,  応用 ,  非晶質 ,  薄膜 ,  形態 ,  光学特性