文献

J-GLOBAL ID：201802293072186457   整理番号：18A1087015

強流ダイオードアノード電子ビームの時間領域エネルギー堆積特性シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Simulation of intense electron beam time-dependent energy deposition on anode target of high-current diode

著者 (5件)： Hu Yang (強脉冲輻射環境模擬与效応国家重点実験室(西北核技術研究所),西安,710024) ,  Yang Hailiang (強脉冲輻射環境模擬与效応国家重点実験室(西北核技術研究所),西安,710024) ,  Zhang Pengfei (強脉冲輻射環境模擬与效応国家重点実験室(西北核技術研究所),西安,710024) ,  Sun Jiang (強脉冲輻射環境模擬与效応国家重点実験室(西北核技術研究所),西安,710024) ,  Sun Jianfeng (強脉冲輻射環境模擬与效応国家重点実験室(西北核技術研究所),西安,710024)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 30  号： 2  ページ： 125-128  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 強い電流パルス電子ビームを研究目的として、離散時間、限定ターゲット面の位置に基づき、ターゲット面の異なる時刻の入射角分布を測定することにより、モンテカルロプログラムを用いて、電子ビームのエネルギー(r)を計算した。典型的な弱ピンチ平板ダイオード(電圧ピーク値700kV,インピーダンス7Ω)の陽極ターゲットの異なる位置のエネルギー堆積値を与え,(0,0°),(25mm,135°)の値を分析した。36mm,270°の3つの位置の垂直断面のエネルギー堆積特性を調査した。各時間の電子ビーム入射エネルギーが確定した場合、エネルギー堆積特性は入射角と相関性を示し、シミュレーション結果と実験結果はよく一致し、偏差は10%より小さかった。陽極ターゲットの25mm外のターゲット面の位置は,ビームピンチの影響を受けたが,入射角の分布は大きく変化した。入射角が時間(40°以下)のとき,電子ビームエネルギー堆積のピーク深さは約0.2mmであった。入射角が40°を超えると,エネルギー堆積のピーク値は0.1mmまで減少する。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アノード ,  *ダイオード ,  電流 ,  インピーダンス ,  入射角 ,  *電子ビーム ,  電圧 ,  ピーク値 ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： 入射エネルギー ,  パルス電子ビーム ,  *時間領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： intense electron beam ,  energy deposition ,  r ,  z distribution ,  Monte Carlo

分類 (5件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  線形加速器  (BE02030I) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  プラズマ波,プラズマ不安定性  (BJ02050T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ダイオード ,  アノード ,  電子ビーム ,  時間領域 ,  エネルギー ,  堆積 ,  シミュレーション