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J-GLOBAL ID：201802293692588886   整理番号：18A1698836

MoO_x正孔選択層におけるSiO_x界面層挿入によるパッシベーション効果

Passivation effect of SiO_x interfacial layer in MoO_x hole selective contact

著者 (1件)： NAKADA Kazuyoshi (Tokyo Tech.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-PA5-7  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 不動態化 ,  酸化モリブデン ,  酸化ケイ素 ,  正孔 ,  *太陽電池 ,  *キャリア寿命 ,  少数キャリア ,  キャリア密度 ,  選択
準シソーラス用語： パッシベーション ,  *シリコン太陽電池 ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  キャリア選択

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 正孔 ,  界面層 ,  パッシベーション