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J-GLOBAL ID：201802295816889920   整理番号：18A1875945

レーザビームとIV族ナノワイヤの間の相互作用について:均一およびヘテロ構造ナノワイヤにおける電磁場増強の研究【JST・京大機械翻訳】

About the Interaction Between a Laser Beam and Group IV Nanowires: A Study of the Electromagnetic Field Enhancement in Homogeneous and Heterostructured Nanowires

著者 (3件)： Pura Jose Luis (GdS Optronlab, Fisica de la Materia Condensada, Ed. Lucia, Univ. de Valladolid, Paseo de Belen 19, 47011 Valladolid, Spain) ,  Anaya Julian (GdS Optronlab, Fisica de la Materia Condensada, Ed. Lucia, Univ. de Valladolid, Paseo de Belen 19, 47011 Valladolid, Spain) ,  Jimenez Juan (GdS Optronlab, Fisica de la Materia Condensada, Ed. Lucia, Univ. de Valladolid, Paseo de Belen 19, 47011 Valladolid, Spain)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 19  ページ： e1800336  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤ(NW)の光学特性は,将来のナノフォトニックデバイスの構築ブロックであるため,研究の対象である。高屈折率とその縮小次元は光子工学に適している。NWと可視光の間の相互作用の研究は,NWによる光吸収/散乱の共鳴を明らかにした。マイクロRaman分光法を半導体NWのキャラクタリゼーション法として用いた。Raman強度と入射電磁(EM)場の間の関係は,個々のNWのマイクロRamanスペクトルを通して光/NW相互作用を研究することを可能にした。金属または誘電体NWのいずれかと比較して,半導体NWは,例えば,組成,ヘテロ構造の存在,軸方向および半径方向,ドーピング,および表面形態の両方の光との相互作用を修正するための付加的ツールを追加する。ここでは,可視光子に対するIV族半導体NWの光応答の研究を示した。本研究は,均一およびヘテロ構造化(SiGe/Si)の異なるグループIV NWの顕微Raman分光法により実験的に行い,結果を有限要素法(FEMs)を用いた光/NW相互作用のEMモデリングにより解析した。ヘテロ構造は,半導体NWへの新しいフォトニック容量を可能にする付加的な共鳴を生成することが分かった。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電体 ,  *ナノワイヤ ,  *相互作用 ,  モデリング ,  光吸収 ,  ドーピング ,  半導体 ,  散乱 ,  共鳴 ,  Ramanスペクトル ,  可視光 ,  キャラクタリゼーション ,  *電磁場 ,  *レーザビーム
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 軸方向ヘテロ構造ナノワイヤ ,  IV族半導体ナノワイヤ ,  光/ナノワイヤ相互作用 ,  光共鳴 ,  Raman分光法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザビーム ,  ナノワイヤ ,  相互作用 ,  ヘテロ構造 ,  電磁場 ,  増強 ,  研究