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J-GLOBAL ID:201802298614465918   整理番号:18A0330988

2-クロロエチルシランと誘導体の脱離過程の反応機構と動力学:CTST,RRKM,およびBET理論を用いたDFT研究【Powered by NICT】

Reaction mechanisms and kinetics of the elimination processes of 2-chloroethylsilane and derivatives: A DFT study using CTST, RRKM, and BET theories
著者 (4件):
資料名:
巻: 485-486  ページ: 140-148  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0167B  ISSN: 0301-0104  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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気相における2-クロロエチルシランと誘導体の熱分解速度論を,密度汎関数理論,種々の交換-相関汎関数(UM06 2xとωB97XD)及びaug-cc-pVTZ基底関数系を用いて計算的に研究した。計算されたエネルギープロファイルは大気圧下のフォールオフ領域における反応速度定数の計算を添加し,遷移状態理論(TST)と統計的Rice-Ramsperger-Kassel-Marcus(RRKM)理論を用いた。UM06 2x/aug-cc-pVTZ手法を用いて得られた活性化エネルギーと速度定数は実験データと良く一致した。関連製品[C_2H_4+Et_3SiCl]へ2-クロロエチルトリエチルシラン種の分解は,カタストロフィーC_8H_19SiCl:6~†FCC~†[FF] 0:C_6H_15SiCl+C_2H_4の配列に関連した6回の連続した構造安定性ドメインにより特性化した。Si-C結合の破れおよびSi-Cl結合の形成は遷移状態の近傍で発生する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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原子とラジカルの反応  ,  付加反応,脱離反応 

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