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J-GLOBAL ID：201802299031781474   整理番号：18A1733572

量子ドットの電子構造に及ぼすドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

The electronic structures’change of doped quantum dot

著者 (2件)： He Chunshan (中山大学物理学院,广東广州,510275) ,  Huang Gangming (中山大学物理学院,广東广州,510275)
資料名： Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni  (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni)
巻： 57  号： 4  ページ： 110-114  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1458A  ISSN： 0529-6579  CODEN： CHTHAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 有効質量近似理論とハミルトニアンH対角化法を用いて、調和振動子ポテンシャルにおいて、量子ドット(8つの分極電子を含む)の固有エネルギーと固有波関数を計算し、固有波関数から一体、二体と三体密度関数を抽出する方法により、電子構造の直観画像を得た。量子ドットの電子構造に及ぼすドーピング(単位正電荷または単位負電荷の不純物)の影響を解析した。その結果,正のドーピングは,量子ドットの中心電荷の凝集を増加させ,一方,負ドーピングは,量子ドットの中心に電荷空白領域を形成した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 調和振動子ポテンシャル ,  *ドーピング ,  負電荷 ,  ハミルトニアン ,  画像 ,  電荷 ,  *電子構造 ,  分極 ,  不純物 ,  対角化 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 正電荷 ,  密度関数 ,  固有エネルギー ,  有効質量近似 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  量子力学一般  (BA06010C) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子ドット ,  電子構造 ,  ドーピング