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J-GLOBAL ID：201802299167017105   整理番号：18A0932009

厚い材料のための拡張Z走査法を用いたInPの二光子吸収係数の偏光依存性の測定

Measurement of polarization dependence of two-photon absorption coefficient in InP using extended Z-scan technique for thick materials

著者 (6件)： OISHI Masaki (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SHINOZAKI Tomohisa (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARA Hikaru (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Kazunuki (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MATSUSUE Toshio (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  BANDO Hiroyuki (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 3  ページ： 030306.1-030306.4  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 比較的厚い材料に対するZ走査法を用いて,InPの二光子吸収係数βを1640~1800nmの波長範囲で測定した。集束Gaussビームの空間分布と時間分布を含む方程式へ当てはめてβの値を評価した。また,βの偏光依存性を測定した。この依存性は三次非線形感受率テンソルχ⁽³⁾の虚数部を用いたβの表現により非常に良く表現できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *二光子吸収 ,  吸収係数 ,  光学的測定 ,  *偏光 ,  空間分布 ,  非線形感受率 ,  Z走査法 ,  *偏光依存性

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (12件)：

• D. Vignaud, J. Lampin, and F. Mollot, Appl. Phys. Lett. 85, 239 (2004).
• H. Bando, T. Matsusue, T. Okuno, and Y. Masumoto, 14th Int. Conf. MBE, 2006, p. 198.
• M. D. Dvorak, W. A. Schroeder, and D. R. Andersen, IEEE J. Quantum Electron. 30, 256 (1994).
• T. Matsusue, H. Bando, S. Fujita, and Y. Takayama, Phys. Status Solidi C 8, 387 (2011).
• M. Sheik-Bahae, A. A. Said, T. H. Wei, D. J. Hagan, and E. W. V. Stryland, IEEE J. Quantum Electron. 26, 760 (1990).

タイトルに関連する用語 (6件)： 拡張 ,  Z走査法 ,  InP ,  二光子 ,  吸収係数 ,  偏光依存性