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J-GLOBAL ID：201802299532170364   整理番号：18A0972172

InP上に成長させたGaAsSbエピ層におけるキャリア局在とスピン検出効率に及ぼす熱アニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of thermal annealing on carrier localization and efficiency of spin detection in GaAsSb epilayers grown on InP

著者 (6件)： Zhang Bin (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Chen Cheng (Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Han Junbo (Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Jin Chuan (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Chen Jianxin (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Xingjun (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 4  ページ： 045021-045021-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP上に成長させたGaAs_0.44Sb_0.56エピ層における光学的およびスピン的性質に及ぼす熱アニーリングの効果を,光反射率,パワー依存および時間分解光ルミネセンス分光法ならびに光学的配向測定により調べた。キャリアの局在化と光スピン検出効率は600°Cまでのアニーリング温度の上昇と共に増加した。スピン検出効率の増強は,アニーリング過程により誘起されたキャリアの局在化の増大の結果として,電子寿命の短縮とスピン寿命の延長の両方に起因する。著者らの結果は,1.55μm領域におけるPL発光を伴うGaAsSbのスピン検出効率を増強するアプローチを提供した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *焼なまし ,  *ヒ化ガリウム ,  *リン化インジウム ,  発光
準シソーラス用語： スピン寿命 ,  電子寿命 ,  アニーリング温度 ,  局在化 ,  時間分解光ルミネセンス ,  光反射率 ,  *熱アニーリング ,  *スピン検出 ,  *エピタキシャル層 ,  *ヒ化アンチモン化ガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： InP ,  成長 ,  GaAsSb ,  エピ層 ,  キャリア ,  スピン ,  検出効率 ,  熱アニーリング