特許
J-GLOBAL ID：201803000014589614
バイアスティー
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯塚 雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-094057
公開番号（公開出願番号）：特開2018-191222
出願日： 2017年05月10日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：
【課題】高い周波数での特性に優れ、且つ、チップキャパシタの耐衝撃性に優れたバイアスティーを提供すること。【解決手段】本発明は、伝送路に同軸構造を採用したバイアスティーにおいて、チップキャパシタと;前記チップキャパシタを挟んで同軸上で連結される第1及び第2の中心導体と;前記チップキャパシタと前記第1の中心導体との間及び、前記チップキャパシタと前記第2の中心導体との間に設けられた緩衝構造部とを備えた構造を採用する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
伝送路に同軸構造を採用したバイアスティーにおいて、
チップキャパシタと;
前記チップキャパシタを挟んで同軸上で連結される第1及び第2の中心導体と;
前記チップキャパシタと前記第1の中心導体との間及び、前記チップキャパシタと前記第2の中心導体との間に設けられた緩衝構造部とを備えたことを特徴とするバイアスティー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (1件)：
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