特許

J-GLOBAL ID：201803000121995145

基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体

発明者： 片 桐 勇 志
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (6件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  森 秀行 ,  村田 卓久
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016080742
公開番号（公開出願番号）：WO2017-073396
出願日： 2016年10月17日
公開日（公表日）： 2017年05月04日
要約：

ドライエッチング処理された後の基板Wを準備する。次に、ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、基板Wに対して、複数のピーク波長の中から特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する。

請求項（抜粋）：

ドライエッチング処理された後の基板を準備する工程と、 前記ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、前記基板に対して、特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L21/304 645D ,  H01L21/304 651B ,  H01L21/302 102

Fターム (27件)：

5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004EA10 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F157AA63 ,  5F157AA65 ,  5F157AA93 ,  5F157AA94 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC56 ,  5F157BB11 ,  5F157BG04 ,  5F157BG44 ,  5F157BG45 ,  5F157BG46 ,  5F157BG47 ,  5F157CB13 ,  5F157CF40 ,  5F157DB14 ,  5F157DB18