p型熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-219958
公開番号（公開出願番号）：特開2018-078219
出願日： 2016年11月10日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

【課題】パワーファクターなどの熱電特性に優れるとともに、高い熱動作安定性を有するp型熱電半導体を提供する。また、熱電特性に優れるとともに、高い熱動作安定性を有する熱電発電素子を提供する。【解決手段】銅、クロム、アンチモン及びイオウからなる四元系のp型熱電半導体であって、その組成を、CuCr2-xSbxS4(xは0.2以上0.5以下)としたp型熱電半導体とする。また、このp型熱電半導体と、n型熱電半導体が一体化された熱電発電素子とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

硫化物を含む四元系のp型熱電半導体であって、該熱電半導体の組成が以下に示す組成を有することを特徴とするp型熱電半導体。 CuCr2-xSbxS4 (ここで、xは0.2以上0.5以下)

IPC (3件)：

H01L 35/16 , H01L 35/34 , C01G 37/00

FI (3件)：

H01L35/16 , H01L35/34 , C01G37/00

Fターム (7件)：

4G048AA03 , 4G048AA07 , 4G048AB01 , 4G048AB05 , 4G048AC08 , 4G048AD03 , 4G048AE05

引用特許：

審査官引用 (4件)

超臨界水熱反応による金属・合金ナノ粒子の合成法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-214244 出願人：国立大学法人東北大学
特開昭61-151828
ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-184746 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

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