特許

J-GLOBAL ID：201803000698518451

積層体

発明者： 川嶋 絵美 ,  関谷 隆司 ,  霍間 勇輝 ,  上岡 義弘 ,  笘井 重和 ,  竹嶋 基浩
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人平和国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016088764
公開番号（公開出願番号）：WO2017-111173
出願日： 2016年12月26日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：

基板と、オーミック電極層と、金属酸化物半導体層と、ショットキー電極層と、バッファー電極層とをこの順に有し、前記ショットキー電極層と前記バッファー電極層の間に還元抑制層を有する積層体。

請求項（抜粋）：

基板と、オーミック電極層と、金属酸化物半導体層と、ショットキー電極層と、バッファー電極層とをこの順に有し、 前記ショットキー電極層と前記バッファー電極層の間に還元抑制層を有する積層体。

IPC (5件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/47

FI (10件)：

H01L29/86 301M ,  H01L29/91 K ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/48 M ,  H01L29/48 D

Fターム (36件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  4M104HH08 ,  4M104HH12 ,  4M104HH15