特許
J-GLOBAL ID:201803000908267422
半導体装置、および半導体装置の作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-089796
公開番号(公開出願番号):特開2018-195814
出願日: 2018年05月08日
公開日(公表日): 2018年12月06日
要約:
【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、酸化物と、酸化物上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の導電体と、第1の絶縁体の側面、及び導電体の側面に設けられる第2の絶縁体と、を有し、該酸化物は、第1の領域と、第2の領域と、第1の領域および第2の領域の間に位置する第3の領域と、を有し、第1の絶縁体は、第1の領域上に設けられ、第3の領域は、第2の絶縁体と重畳する領域を有し、第2の領域は、第1の領域及び第3の領域よりも酸素濃度が小さく、第3の領域は、第1の領域の酸素濃度と、第2の領域の酸素濃度との間の酸素濃度となる部分を有する半導体装置である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
酸化物と、
前記酸化物上の第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体上の導電体と、
前記第1の絶縁体の側面、及び前記導電体の側面に設けられる第2の絶縁体と、を有し、
前記酸化物は、
第1の領域と、第2の領域と、前記第1の領域および前記第2の領域の間に位置する第3の領域と、を有し、
前記第1の絶縁体は、前記第1の領域上に設けられ、
前記第3の領域は、前記第2の絶縁体と重畳する領域を有し、
前記第2の領域は、前記第1の領域及び前記第3の領域よりも酸素濃度が小さく、
前記第3の領域は、前記第1の領域の酸素濃度と、前記第2の領域の酸素濃度との間の酸素濃度となる部分を有する、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/824
, H01L 27/108
FI (8件):
H01L29/78 616S
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 618C
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 627F
, H01L27/108 671Z
, H01L27/108 321
Fターム (136件):
5F083AD02
, 5F083AD03
, 5F083AD21
, 5F083AD69
, 5F083GA06
, 5F083GA10
, 5F083GA25
, 5F083HA02
, 5F083JA02
, 5F083JA03
, 5F083JA04
, 5F083JA05
, 5F083JA06
, 5F083JA12
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA31
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083LA10
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA17
, 5F083MA18
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR03
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, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR40
, 5F083ZA01
, 5F110AA03
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, 5F110NN77
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
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