特許
J-GLOBAL ID：201803001151327275
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 三橋 真二
, 河合 章
, 南山 知広
, 竹本 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-019357
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129511
出願日： 2018年02月06日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：
【課題】開放電圧を向上させつつ、太陽電池の不良を減らすことができる構造の太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池は、第1導電型の不純物を含有する半導体基板110と、第1導電型と反対の第2導電型の不純物を含有する第1導電型領域120と、誘電体材質を含む制御パッシベーション膜160と、第1導電型の不純物が半導体基板110より高濃度でドープされた多結晶シリコン材質を含む第2導電型領域170と、第1導電型領域120と接続される第1電極140と、第2導電型領域170と接続される第2電極150とを含み、第1、第2電極140、150のそれぞれは、金属粒子とガラスフリットを含み、第2電極150に含有される単位体積当たりのガラスフリットの含有量は、第1電極140に含有される単位体積当たりのガラスフリットの含有量より少ない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の前面に位置し、第1導電型の不純物または第2導電型の不純物の内、いずれか1つの不純物を含有する第1導電型領域と、
前記半導体基板の後面表面上に位置し、前記第1導電型領域に含まれた不純物と反対の導電型の不純物を含有し、多結晶シリコン材質を含む第2導電型領域と、
前記半導体基板の前面に位置し、前記第1導電型領域と接続される第1電極と、
前記半導体基板の後面に位置し、前記第2導電型領域と接続される第2電極とを含み、
前記第1、第2電極のそれぞれは、金属粒子とガラスフリットを含み、
前記第2電極に含有される単位体積当たりの前記ガラスフリットの含有量は、前記第1電極に含有される単位体積当たりの前記ガラスフリットの含有量より少ない、太陽電池。
IPC (3件)：
H01L 31/022
, H01L 31/021
, H01L 31/068
H01L31/04 264
, H01L31/04 240
, H01L31/06 300
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151BA11
, 5F151CA14
, 5F151CB20
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151FA10
, 5F151GA04
, 5F151GA14
, 5F151HA01
, 5F151HA20
