特許
J-GLOBAL ID：201803001154106024
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
本多 一郎
, 杉本 由美子
, 篠田 淳郎
, 渡耒 巧
, 大田黒 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-215207
公開番号（公開出願番号）：特開2015-079819
特許番号：特許第6227970号
出願日： 2013年10月16日
公開日（公表日）： 2015年04月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁回路基板と、該絶縁回路基板上に搭載された半導体素子と、該絶縁回路基板に接続され該半導体素子を冷却する冷却器と、を備える半導体装置であって、
該冷却器が、該絶縁回路基板に接合された放熱基板と、該放熱基板における該絶縁回路基板との接合面とは反対側の面に設けられたフィンと、該フィンを収容するとともに該放熱基板に接続されたケースと、該ケースの互いに対向する側壁でかつ該ケースの対角の位置に設けられた、冷却液の導入口及び排出口と、該導入口に接続し、該ケースの導入口が設けられた第1の側壁の内面に沿って形成された導入路と、該排出口に接続し、該ケースの排出口が設けられた第2の側壁の内面に沿って形成された排出路と、該導入路と該排出路との間で、該フィンが収容される位置に形成された冷却用流路と、を有し、かつ、
該導入口の開口の高さが、該導入路の高さよりも高く、該導入口と該導入路との接続部に、接続部の底面から導入路の長手方向に傾斜した傾斜面を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/473 ( 200 6.01)
, H01L 23/36 ( 200 6.01)
, H05K 7/20 ( 200 6.01)
, H02M 7/48 ( 200 7.01)
H01L 23/46 Z
, H01L 23/36 C
, H05K 7/20 N
, H02M 7/48 Z
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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