基板処理装置および基板処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：永井浩之 , 中村行孝 , 佐藤泰和 , 朝倉悟 , 森秀行
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016078903
公開番号（公開出願番号）：WO2017-057623
出願日： 2016年09月29日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

処理室(81,201)内の基板保持部(89,204)により保持された基板(W)の端縁よりも外側の位置にガスを噴射するガス噴射口(74,205)を設ける。ガス噴射口(74,205)から噴射されたガスは、基板保持部により保持された基板の第1面(表面)に沿う方向に流れるガスの流れを形成する。ガスの流れに乗り、昇華した昇華性物質のガスおよびガスに含まれる異物が基板の近傍から除去される。ガスは、加熱部(88,203)から基板への伝熱媒体としても作用する。

請求項（抜粋）：

昇華性物質が塗布された第1面と、その反対側の第2面とを有する基板を保持する基板保持部と、基板保持部により保持された基板を収容する処理室と、前記基板の第1面に塗布された昇華性物質を昇華させるために前記処理室の内部を加熱する加熱部と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、を備え、前記ガス供給部はガスを噴射するガス噴射口を有し、前記ガス噴射口は、前記基板保持部により保持された前記基板の端縁よりも外側の位置に設けられ、前記基板保持部により保持された前記基板の前記第1面または前記第2面に沿う方向に流れるガスの流れを形成することを特徴とする基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 651Z , H01L21/304 651M , H01L21/304 651L

Fターム (14件)：

5F157AA09 , 5F157AB02 , 5F157AB03 , 5F157AB33 , 5F157AC03 , 5F157AC15 , 5F157CB15 , 5F157CB22 , 5F157CB29 , 5F157CF04 , 5F157CF16 , 5F157CF34 , 5F157DA21 , 5F157DC90

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