特許
J-GLOBAL ID：201803001475186860

半導体装置

発明者：
山本 朗央

山本 朗央 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-041747
公開番号（公開出願番号）：特開2018-121065
出願日： 2018年03月08日
公開日（公表日）： 2018年08月02日
要約：
【課題】高速動作が可能で、電力が供給されない状況でもデータを長期間保持できる記憶回路を提供する。【解決手段】データを長期間保持できる第1の書き込みモードと、データの書き込みを高速で行える第2の書き込みモードと、を備える記憶回路である。トランジスタの導通状態を判別することによってデータの読み出しが行われる記憶回路であって、スイッチを介して接続された、データに基づく電荷を保持する第1の容量部及び第2の容量部を備え、スイッチがオン状態であり、電気的に接続された第1の容量部及び第2の容量部に、データに基づく電荷を蓄積する第1の書き込みモードと、スイッチがオフ状態であり、第1の容量部にデータに基づく電荷を蓄積し、第2の容量部には該データに基づく電荷を蓄積しない第2の書き込みモードと、を有する記憶回路である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタ乃至第3のトランジスタと、容量部と、を有し、 前記容量部の第1電極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、 前記容量部の第2電極は、第1の配線と電気的に接続され、 前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、 前記第1の配線は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方に電源電位を供給する機能を有する半導体装置であって、 前記第2のトランジスタがオン状態のときに、前記第3のトランジスタを介して第1の電位を前記容量部及び前記第1のトランジスタのゲート容量に入力する機能を有し、 前記第2のトランジスタがオフ状態のときに、前記第3のトランジスタを介して第2の電位を前記第1のトランジスタのゲート容量に入力する機能を有し、 前記第1のトランジスタは、前記第1の電位または前記第2の電位に従って導通状態が選択される半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  G11C 11/405
FI (8件)：
H01L27/108 321 ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 E ,  H01L27/088 H ,  H01L27/088 331E ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  G11C11/405
Fターム (137件)：
5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC18 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048DA24 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA12 ,  5F110AA01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5M024AA06 ,  5M024BB02 ,  5M024BB35 ,  5M024BB36 ,  5M024HH11 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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