特許
J-GLOBAL ID:201803001596640658
ポジ型感光性シロキサン組成物、アクティブマトリクス基板、表示装置、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
河野 英仁
, 河野 登夫
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2016053261
公開番号(公開出願番号):WO2016-125836
出願日: 2016年02月03日
公開日(公表日): 2016年08月11日
要約:
形成される膜が高耐熱性、高強度、及び高クラック耐性を有するポジ型感光性シロキサン組成物、副生成物が生じず、不良の発生が抑制され、容易に安価に層間絶縁膜が形成され、透過率が良好であるアクティブマトリクス基板、該アクティブマトリクス基板を備える表示装置、並びに該アクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。 アクティブマトリクス基板30は、絶縁基板10上に、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート配線11と、各ゲート配線11と交叉する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース配線12とを有する。ソース配線12の下側の、ゲート配線11とソース配線12との交叉部分を含む部分に、層間絶縁膜14及びゲート絶縁膜15が介在している。層間絶縁膜14はポジ型感光性シロキサン組成物を用い、レジストを使用せずに形成される。
請求項(抜粋):
(I)テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液に対する溶解速度が異なる少なくとも2種類以上のポリシロキサン、(II)ジアゾナフトキノン誘導体、(III)光酸発生剤、及び(IV)溶剤を含有するポジ型感光性シロキサン組成物であって、
前記ポリシロキサン(I)が、
(A)下記一般式(1):
R1 nSi(OR2 )4-n
IPC (3件):
G03F 7/075
, G03F 7/023
, G03F 7/20
FI (3件):
G03F7/075 521
, G03F7/023
, G03F7/20 501
Fターム (24件):
2H197AA05
, 2H197AB16
, 2H197CA02
, 2H197CA03
, 2H197CA05
, 2H197CA09
, 2H197CA10
, 2H197CE10
, 2H197HA05
, 2H197JA15
, 2H197JA21
, 2H197JA30
, 2H225AF05P
, 2H225AF23P
, 2H225AF79P
, 2H225AM85P
, 2H225AN39P
, 2H225AN54P
, 2H225BA01P
, 2H225BA33P
, 2H225CA21
, 2H225CB02
, 2H225CC03
, 2H225CC21
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