特許

J-GLOBAL ID：201803001719339079

荷電粒子線応用装置

発明者： 白崎 保宏 ,  圓山 百代
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人藤央特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016060781
公開番号（公開出願番号）：WO2017-168709
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：

一次荷電粒子線(102)を試料(107)に照射することによって発生する二次荷電粒子線(109)を検出する、荷電粒子線応用装置は、一次荷電粒子線を試料に照射する際の照射領域を移動する、イメージシフト偏向器(104)と、内部において生成した磁場によって、内部を通過する前記一次荷電粒子線と前記試料からの二次荷電粒子線とを分離する、磁場セクタ(103)と、前記磁場セクタの内部において、前記一次荷電粒子線の軌道から外れ、前記二次荷電粒子線の軌道上に配置され、通過する前記二次荷電粒子線を偏向する、振り戻し機構(110)と、前記イメージシフト偏向器によるシフト量と前記振り戻し機構による振り戻し量との間の規定された関係に従って、前記振り戻し機構を制御する、コントローラ(114)と、を含む。

請求項（抜粋）：

一次荷電粒子線を試料に照射することによって発生する二次荷電粒子線を検出する、荷電粒子線応用装置であって、 一次荷電粒子線を試料に照射する際の照射領域を移動する、イメージシフト偏向器と、 内部において生成した磁場によって、内部を通過する前記一次荷電粒子線と前記試料からの二次荷電粒子線とを分離する、磁場セクタと、 前記磁場セクタの内部において、前記一次荷電粒子線の軌道から外れ、前記二次荷電粒子線の軌道上に配置され、通過する前記二次荷電粒子線を偏向する、振り戻し機構と、 前記イメージシフト偏向器によるシフト量と前記振り戻し機構による振り戻し量との間の規定された関係に従って、前記振り戻し機構を制御する、コントローラと、を含む荷電粒子線応用装置。

IPC (4件)：

H01J 37/244 ,  H01J 37/29 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/22

FI (4件)：

H01J37/244 ,  H01J37/29 ,  H01J37/28 B ,  H01J37/22 502H

Fターム (11件)：

5C033AA05 ,  5C033FF06 ,  5C033FF10 ,  5C033NN01 ,  5C033NN02 ,  5C033NP05 ,  5C033NP08 ,  5C033UU01 ,  5C033UU04 ,  5C033UU05 ,  5C033UU10