特許

J-GLOBAL ID：201803001772840820

多結晶シリコンインゴットの製造方法

発明者： 朱仁スワン ,  鄭鉦耀 ,  劉俊毅 ,  陳冠元 ,  黄呂明
出願人/特許権者： グリーン エナジー テクノロジー インク.
代理人 (2件)： 橋本 浩幸 ,  洗 理恵
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-230354
公開番号（公開出願番号）：特開2018-012632
特許番号：特許第6286514号
出願日： 2016年11月28日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、 成長容器の底面に複数のシードと第一剥離層を含む核形成層を形成するステップと、 前記複数のシードは前記底面に配置され、前記第一剥離層は前記複数のシードと 前記複数のシードから露出している前記底面を覆い、 前記成長容器にシリコン原料を前記核形成層に位置するように入れるステップと、 前記成長容器を加熱して、前記シリコン原料を全てシリコンメルトに融解させるステップと、 前記複数のシードを覆う前記第一剥離層は熱溶融されて、前記複数のシードのそ れぞれは、前記第一剥離層から部分的に露出され、前記複数のシードの露出された 部分と前記シリコンメルトが接触し、 前記成長容器の底部を冷却して、複数のシリコングレインは前記複数のシードが露出された部分で核形成し、かつ、成長方向に沿って成長するステップと、 前記成長容器の底部を冷却し続けて、前記シリコンメルトが全て凝固するまで、前記多結晶シリコンインゴットを形成するステップとを含む多結晶シリコンインゴットの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/02 ( 200 6.01) ,  C01B 33/037 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C01B 33/02 E ,  C01B 33/037