特許
J-GLOBAL ID：201803001778787573

多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、スクライブツール、スクライブホイール、ドレッサー、回転工具、伸線ダイス、切削工具、電極ならびに多結晶ダイヤモンドを用いた加工方法

発明者：
池田 和寛

池田 和寛 について

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山本 佳津子

山本 佳津子 について

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角谷 均

角谷 均 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-102592
公開番号（公開出願番号）：特開2018-197177
出願日： 2017年05月24日
公開日（公表日）： 2018年12月13日
要約：
【課題】表面を保護するための保護膜を形成することができる耐摩耗性の高い多結晶ダイヤモンドを提供する。【解決手段】多結晶ダイヤモンドは、ダイヤモンド単相を基本組成として複数の結晶粒により構成され、ホウ素と、ホウ素化合物と、水素と、酸素と、を含み、残部が炭素および微量不純物であり、上記ホウ素は、結晶粒中に原子レベルで分散し、かつその90原子%以上が孤立置換型として存在し、上記ホウ素化合物、上記水素および上記酸素は、結晶粒中に孤立置換型または侵入型として存在し、上記ホウ素化合物は、酸素を含有するホウ素化合物を含み、結晶粒の粒径が500nm以下であり、多結晶ダイヤモンドの表面が保護膜で被覆されている。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド単相を基本組成とする多結晶ダイヤモンドであって、 前記多結晶ダイヤモンドは、複数の結晶粒により構成され、 前記多結晶ダイヤモンドは、ホウ素と、ホウ素化合物と、水素と、酸素と、を含み、残部が炭素および微量不純物であり、 前記ホウ素は、前記結晶粒中に原子レベルで分散し、かつその90原子%以上が孤立置換型として存在し、 前記ホウ素化合物、前記水素および前記酸素は、前記結晶粒中に孤立置換型または侵入型として存在し、 前記ホウ素化合物は、酸素を含有するホウ素化合物を含み、 前記結晶粒は、その粒径が500nm以下であり、 前記多結晶ダイヤモンドは、その表面が保護膜で被覆されている、多結晶ダイヤモンド。
IPC (9件)：
C01B 32/26 ,  B01J 3/06 ,  B23B 27/14 ,  B23B 27/20 ,  B23C 5/16 ,  B28D 1/24 ,  B28D 5/00 ,  B24B 53/12 ,  B21C 3/02
FI (9件)：
C01B32/26 ,  B01J3/06 S ,  B23B27/14 B ,  B23B27/20 ,  B23C5/16 ,  B28D1/24 ,  B28D5/00 Z ,  B24B53/12 Z ,  B21C3/02 K
Fターム (48件)：
3C046FF35 ,  3C046FF55 ,  3C046FF57 ,  3C046HH04 ,  3C046HH06 ,  3C047EE04 ,  3C047EE19 ,  3C069AA03 ,  3C069BA04 ,  3C069CA02 ,  3C069EA03 ,  4E096FA17 ,  4E096KA05 ,  4E096KA09 ,  4G146AA04 ,  4G146AA17 ,  4G146AB01 ,  4G146AC01A ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146AC16A ,  4G146AC17B ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AC21A ,  4G146AC22B ,  4G146AC23B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD15 ,  4G146AD17 ,  4G146AD21 ,  4G146AD23 ,  4G146AD26 ,  4G146BA02 ,  4G146BA11 ,  4G146BA40 ,  4G146BA45 ,  4G146BB04 ,  4G146BB05 ,  4G146BB06 ,  4G146BC11 ,  4G146BC23 ,  4G146BC35B ,  4G146BC38B ,  4G146BC45 ,  4G146CB07 ,  4G146DA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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