特許
J-GLOBAL ID:201803001802652323
光電変換素子および撮像素子ならびに電子機器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2016088926
公開番号(公開出願番号):WO2017-122538
出願日: 2016年12月27日
公開日(公表日): 2017年07月20日
要約:
本開示の一実施形態の光電変換素子は、対向配置された第1電極および第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、少なくとも、サブフタロシアニンまたはサブフタロシアニン誘導体およびキャリアドーパントを含む光電変換層とを備えたものであり、キャリアドーパントの濃度は、サブフタロシアニンまたはサブフタロシアニン誘導体に対して体積比1%未満である。
請求項(抜粋):
対向配置された第1電極および第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられると共に、少なくとも、サブフタロシアニンまたはサブフタロシアニン誘導体およびキャリアドーパントを含む光電変換層とを備え、
前記キャリアドーパントの濃度は、前記サブフタロシアニンまたは前記サブフタロシアニン誘導体に対して体積比1%未満である
光電変換素子。
IPC (4件):
H01L 51/42
, H01L 31/10
, H01L 27/146
, H01L 27/30
FI (4件):
H01L31/08 T
, H01L31/10 A
, H01L27/146 E
, H01L27/30
Fターム (48件):
4M118AA03
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA14
, 4M118CA15
, 4M118CA22
, 4M118CA27
, 4M118CA34
, 4M118CB20
, 4M118DD04
, 4M118FA33
, 4M118FA38
, 4M118GA02
, 4M118GD04
, 5F849AA02
, 5F849AB03
, 5F849AB13
, 5F849AB16
, 5F849BA01
, 5F849BA05
, 5F849BB03
, 5F849CB05
, 5F849CB06
, 5F849CB07
, 5F849CB10
, 5F849CB14
, 5F849CB15
, 5F849DA05
, 5F849EA05
, 5F849EA13
, 5F849FA03
, 5F849FA04
, 5F849FA05
, 5F849GA05
, 5F849HA11
, 5F849JA12
, 5F849KA20
, 5F849LA02
, 5F849XA02
, 5F849XA13
, 5F849XA46
, 5F849XA48
, 5F849XB15
, 5F849XB36
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