特許

J-GLOBAL ID：201803001958413922

固体撮像装置

発明者： 小田 真弘
出願人/特許権者： パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016085074
公開番号（公開出願番号）：WO2017-122436
出願日： 2016年11月25日
公開日（公表日）： 2017年07月20日
要約：

固体撮像装置は、半導体基板(71)上に二次元配列された複数の画素を備え、各画素は、半導体基板(71)の表面近傍に形成された少なくとも一つの浅層受光部(11a、11b)と、浅層受光部(11)の下方に形成された少なくとも一つの深層受光部(12)とを備える。浅層受光部の一部(11b)と、深層受光部(12)とが接続されて第2の受光部(13)を構成すると共に、他の浅層受光部(11a)は第1の受光部を構成する。第1の受光部における過剰電荷は、深層受光部(12)に排出される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に二次元配列された複数の画素を備え、 前記複数の画素は、それぞれ、前記半導体基板の表面近傍に形成された少なくとも一つの浅層受光部と、前記浅層受光部の下方に形成された少なくとも一つの深層受光部とを備え、 前記浅層受光部の一部と、前記深層受光部とが接続されて第2の受光部を構成すると共に、他の前記浅層受光部は第1の受光部を構成し、 前記第1の受光部における過剰電荷は、前記深層受光部に排出されることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/359 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L27/146 A ,  H01L27/146 D ,  H04N5/359 100 ,  H01L31/10 D

Fターム (37件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118CA22 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GC09 ,  4M118GC11 ,  4M118GC14 ,  5C024AX06 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GZ01 ,  5C024GZ03 ,  5F849AA01 ,  5F849BA01 ,  5F849BA04 ,  5F849BA09 ,  5F849BA30 ,  5F849BB03 ,  5F849DA30 ,  5F849DA41 ,  5F849EA04 ,  5F849EA05 ,  5F849EA13 ,  5F849JA13 ,  5F849KA12 ,  5F849KA14 ,  5F849KA20 ,  5F849LA01 ,  5F849LA02 ,  5F849LA09 ,  5F849XB01 ,  5F849XB34