特許

J-GLOBAL ID：201803002057821700

フォトマスクの製造方法

発明者： 根岸 佳之
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131609
公開番号（公開出願番号）：特開2018-004942
出願日： 2016年07月01日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】レジストパターン表面を平滑化しLERを小さくすることで、寸法均一性が改善されるフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】1)遮光膜上にネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、2)ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅100〜2000nmのライン&スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、3)ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、4)レジストパターンを形成した遮光膜上に、波長400〜500nmの光に対する消衰係数が0.015〜2.0の光吸収材料からなる層を形成する工程、5)光吸収材料からなる層に300nm以下の波長をカットした光を照射する工程、6)光吸収材料からなる層を除去する工程、7)レジストパターンをエッチングマスクとして、遮光膜をエッチングする工程、以上の工程を具備するフォトマスクの製造方法とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

遮光膜上に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして遮光膜をエッチングする工程を備えるフォトマスクの製造方法において、 1)前記遮光膜上にネガ型化学増幅レジストを塗布する工程、 2)前記ネガ型化学増幅レジストに対して、線幅100〜2000nmのライン&スペースを含むパターンを電子線により描画する工程、 3)前記ネガ型化学増幅レジストを現像処理してレジストパターンを形成する工程、 4)前記レジストパターンを形成した遮光膜上に、波長400〜500nmの光に対する消衰係数が0.015〜2.0の光吸収材料からなる層を形成する工程、 5)前記光吸収材料からなる層に300nm以下の波長をカットした光を照射する工程、6)前記光吸収材料からなる層を除去する工程、 7)前記光吸収材料からなる層を除去した後のレジストパターンをエッチングマスクとして、前記遮光膜をエッチングする工程、 以上の工程を具備することを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/54 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/038

FI (5件)：

G03F1/54 ,  G03F7/20 504 ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/038 601

Fターム (32件)：

2H195BB01 ,  2H195BB10 ,  2H195BB17 ,  2H195BB18 ,  2H195BB19 ,  2H195BB28 ,  2H195BB36 ,  2H195BB38 ,  2H195BC01 ,  2H195BC05 ,  2H195BC24 ,  2H195BD03 ,  2H196AA24 ,  2H196BA06 ,  2H196EA06 ,  2H196HA35 ,  2H196HA36 ,  2H197AA26 ,  2H197CA09 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197HA03 ,  2H197JA05 ,  2H197JA15 ,  2H197JA17 ,  2H197JA22 ,  2H225AN67P ,  2H225BA17P ,  2H225CA08 ,  2H225CB18 ,  2H225CC01 ,  2H225CC17