特許
J-GLOBAL ID：201803002246227410

ビスマスナトリウムストロンチウムチタン酸塩系誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品

発明者：
井村 友哉

井村 友哉 について

, 
寺田 朋広

寺田 朋広 について


出願人/特許権者：
エプコス アクチエンゲゼルシャフト

エプコス アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 前田・鈴木国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-561352
公開番号（公開出願番号）：特表2018-526301
出願日： 2016年05月24日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：
【課題】DCバイアス特性に優れ、かつ高温での絶縁抵抗も高い誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供する。【解決手段】主成分がBi、Na、Sr、LnおよびTiを含み、前記Lnが少なくとも1種の希土類元素であるペロブスカイト型化合物であって、平均結晶粒径が0.1μm以上1μm以下であることを特徴とする誘電体組成物。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主成分がBi、Na、Sr、LnおよびTiを含み、前記Lnが少なくとも1種の希土類元素であるペロブスカイト型化合物であって、平均結晶粒径が0.1μm以上1μm以下であることを特徴とする誘電体組成物。
IPC (3件)：
C04B 35/462 ,  H01G 4/30 ,  H01B 3/12
FI (12件)：
C04B35/462 ,  H01G4/30 201L ,  H01G4/30 515 ,  H01B3/12 331 ,  H01B3/12 341 ,  H01B3/12 318A ,  H01B3/12 326 ,  H01B3/12 319 ,  H01B3/12 308 ,  H01B3/12 311 ,  H01B3/12 309 ,  H01B3/12 318G
Fターム (44件)：
5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB04 ,  5E082BC35 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE26 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082GG10 ,  5E082GG28 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5E082PP09 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303CA01 ,  5G303CB05 ,  5G303CB09 ,  5G303CB11 ,  5G303CB14 ,  5G303CB15 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB20 ,  5G303CB22 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
引用特許：
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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