特許

J-GLOBAL ID：201803002269262050

SiC単結晶製造装置

発明者： 大黒 寛典 ,  秋田 光俊 ,  山本 諒 ,  吉川 健 ,  川西 咲子
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-185377
公開番号（公開出願番号）：特開2018-048048
出願日： 2016年09月23日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：

【課題】溶液法によるSiC単結晶の製造中に、高温のSi-C溶液をサンプリングすることができるサンプリング部材を備えたSiC単結晶製造装置を提供する。【解決手段】Si-C溶液を収容する坩堝と、坩堝の周囲に配置された加熱装置と、SiC種結晶基板を保持するための昇降可能な種結晶保持軸と、を備えた、溶液法によりSiC単結晶を成長させるためのSiC単結晶製造装置であって、鉛直方向に移動可能であり且つTa製、Mo製またはW製の、Si-C溶液サンプリング部材を備える、SiC単結晶製造装置。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Si-C溶液を収容する坩堝と、 前記坩堝の周囲に配置された加熱装置と、 SiC種結晶基板を保持するための昇降可能な種結晶保持軸と、 を備えた、溶液法によりSiC単結晶を成長させるためのSiC単結晶製造装置であって、 鉛直方向に移動可能であり且つTa製、Mo製またはW製の、Si-C溶液サンプリング部材を備える、 SiC単結晶製造装置。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CC04 ,  4G077CC10 ,  4G077ED06 ,  4G077LA01 ,  4G077LA03