特許
J-GLOBAL ID：201803002421842661

転写用マスクの製造方法

発明者：
宍戸 博明

宍戸 博明 について

, 
野澤 順

野澤 順 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-169572
公開番号（公開出願番号）：特開2015-038564
特許番号：特許第6266919号
出願日： 2013年08月19日
公開日（公表日）： 2015年02月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】透光性基板上に、パターンを形成するための薄膜を有し、該薄膜は、遮光層と、その遮光層の直下のエッチングストッパー層と、そのエッチングストッパー層の下の半透光膜とを含み、 前記遮光層は、少なくとも最上部がタンタル(Ta)を含有し、さらにハフニウム(Hf)およびジルコニウム(Zr)のうちの少なくとも一方を含有する材料で形成され、前記エッチングストッパー層は、クロム(Cr)を含有する材料、または、ケイ素(Si)及び酸素(O)を含有する材料で形成されているマスクブランクを準備する工程と、 レジストパターンをマスクとして、前記遮光層を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させることによりエッチングを行う工程と、 を有し、 前記遮光層のエッチングを行う工程は、前記半透光膜に形成すべきパターンを形成するための1回目のエッチング工程と、遮光帯パターンを形成するための2回目のエッチング工程とを含み、少なくとも前記2回目のエッチング工程では、前記塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質を適用することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
IPC (4件)：
G03F 1/80 ( 201 2.01) ,  G03F 1/26 ( 201 2.01) ,  G03F 1/54 ( 201 2.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G03F 1/80 ,  G03F 1/26 ,  G03F 1/54 ,  H01L 21/302 104 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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