特許

J-GLOBAL ID：201803002425815731

2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法

発明者： カン,サン ウー ,  ムン,ジ フン
出願人/特許権者： コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス
代理人 (1件)： 船本 康伸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-561638
公開番号（公開出願番号）：特表2018-525516
出願日： 2016年07月28日
公開日（公表日）： 2018年09月06日
要約：

本発明は、2次元の遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法に係り、特に高均一の2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜の製造方法に関するものであり、より具体的には、500°C以下の低温条件下で高均一2次元遷移金属ジカルコゲナイド薄膜を製造する方法に関する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

蒸着チャンバー内で基材を前処理するステップと; 前記蒸着チャンバー内にカルコゲン含有前駆体及び遷移金属含有前駆体を供給して前記基材上に2次元遷移金属ジカルコゲナイドを蒸着するステップと;を含む、2次元遷移金属ジカルコゲナイドの製造方法。

IPC (2件)：

C23C 16/30 ,  C01G 39/06

FI (2件)：

C23C16/30 ,  C01G39/06

Fターム (31件)：

4G048AA07 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA12 ,  4K030BA50 ,  4K030BA58 ,  4K030BB03 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-233508
  
• カルコゲナイド薄膜の形成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-504925   出願人：アイピーエス・リミテッド