特許
J-GLOBAL ID：201803002452865562
光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体並びに円偏光板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016087277
公開番号（公開出願番号）：WO2017-110631
出願日： 2016年12月14日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：
光重合性液晶化合物を含む液晶組成物を硬化してなる光学異方性層であって、前記光学異方性層における前記光重合性液晶化合物の割合が25重量%以下であり、230nm以上300nm未満の第一波長範囲、及び、300nm以上400nm以下の第二波長範囲における、前記光学異方性層の配向方向に平行な偏光に対する極大吸収波長、及び、前記光学異方性層の配向方向に垂直な偏光に対する極大吸収波長それぞれでの、前記光学異方性層の吸光度が、所定の関係を満たす。
請求項（抜粋）：
光重合性液晶化合物を含む液晶組成物を硬化してなる光学異方性層であって、
前記光学異方性層における前記光重合性液晶化合物の割合が、25重量%以下であり、
前記光学異方性層が、230nm以上300nm未満の第一波長範囲、及び、300nm以上400nm以下の第二波長範囲において、それぞれ、前記光学異方性層の配向方向に平行な偏光に対する極大吸収波長、及び、前記光学異方性層の配向方向に垂直な偏光に対する極大吸収波長を有し、
前記光学異方性層の配向方向に平行な偏光に対する、前記第一波長範囲における極大吸収波長での、前記光学異方性層の吸光度ε1m、
前記光学異方性層の配向方向に垂直な偏光に対する、前記第一波長範囲における極大吸収波長での、前記光学異方性層の吸光度ε1s、
前記光学異方性層の配向方向に平行な偏光に対する、前記第二波長範囲における極大吸収波長での、前記光学異方性層の吸光度ε2m、及び、
前記光学異方性層の配向方向に垂直な偏光に対する、前記第二波長範囲における極大吸収波長での、前記光学異方性層の吸光度ε2sが、下記式(1)及び(2)
1.30<ε1m/ε1s<1.70 (1)
0.25<ε2m/ε2s<0.70 (2)
を満たす、光学異方性層。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
2H149AA02
, 2H149AA18
, 2H149AB11
, 2H149DA04
, 2H149DA12
, 2H149DA18
, 2H149DA35
, 2H149EA03
, 2H149EA06
, 2H149FA24Y
, 2H149FD05
, 2H149FD06
, 2H149FD13
, 2H149FD28
, 4H027BA13
