不揮発性記憶装置およびその駆動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-033711
公開番号（公開出願番号）：特開2018-152153
出願日： 2018年02月27日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：

【課題】高信頼性で書き込み動作が実現する不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性記憶装置は、第1配線層10と、第2配線層20と、金属イオン源層30と、抵抗変化層40と、制御回路部と、を備える。制御回路部は、抵抗変化層に第1データを書き込むときは、第1配線層と第2配線層との間に第1セット電圧を印加し、第1データを読み出すときは、第1セット電圧よりも低い第1読出電圧を印加する。抵抗変化層に第2データを書き込むときは、第1セット電圧よりも高い第2セット電圧を印加し、第2データを読み出すときは、第1読出電圧よりも低い第2読出電圧を印加し、抵抗変化層に第3データを書き込むときは、第2セット電圧よりも高い第3セット電圧を印加し、第3データを読み出すときは、第2読出電圧よりも低い第3読出電圧を印加する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1配線層と、第2配線層と、前記第1配線層と前記第2配線層との間に接続される金属イオン源層と、前記金属イオン源層と前記第1配線層との間に接続され、前記金属イオン源層から放出される金属イオンがその内部に拡散することが可能な抵抗変化層と、前記抵抗変化層に第1データを書き込むときは、前記第1配線層と前記第2配線層との間に第1セット電圧を印加し、前記第1データを読み出すときは、前記第1配線層と前記第2配線層との間に前記第1セット電圧よりも低い第1読出電圧を印加し、前記抵抗変化層に第2データを書き込むときは、前記第1配線層と前記第2配線層との間に前記第1セット電圧よりも高い第2セット電圧を印加し、前記第2データを読み出すときは、前記第1配線層と前記第2配線層との間に前記第1読出電圧よりも低い第2読出電圧を印加し、前記抵抗変化層に第3データを書き込むときは、前記第1配線層と前記第2配線層との間に前記第2セット電圧よりも高い第3セット電圧を印加し、前記第3データを読み出すときは、前記第1配線層と前記第2配線層との間に前記第2読出電圧よりも低い第3読出電圧を印加する制御回路部と、を備えた不揮発性記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 11/56 , G11C 13/00 , H01L 45/00 , H01L 49/00 , H01L 21/823 , H01L 27/105

FI (7件)：

G11C11/56 150 , G11C13/00 230 , G11C13/00 400C , G11C13/00 480B , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z , H01L27/105 448

Fターム (11件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-070846 出願人：株式会社東芝
相変化メモリセルの低ストレスマルチレベル読み取り方法及びマルチレベル相変化メモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-264354 出願人：ニューモニクスベースローテンフェンノートシャップ
マルチレベルメモリ素子およびこれをプログラムし読出す方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-138733 出願人：旺宏電子股ふん有限公司

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