薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大森純一 , 高橋満 , 中村哲平 , 日比野幸信
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016084539
公開番号（公開出願番号）：WO2017-090584
出願日： 2016年11月22日
公開日（公表日）： 2017年06月01日
要約：

本発明の一形態に係る薄膜トランジスタは、ゲート電極と、インジウム、亜鉛及びチタンを含む酸化物で構成された活性層と、上記ゲート電極と上記活性層との間に形成されたゲート絶縁膜と、上記活性層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを具備する。上記酸化物を構成するインジウム、亜鉛及びチタンの合計量に占める各元素の原子比は、インジウムが24原子%以上80原子%以下、亜鉛が16原子%以上70原子%以下、チタンが0.1原子%以上20原子%以下である。

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、インジウム、亜鉛及びチタンを含む酸化物半導体膜で構成され、前記酸化物半導体膜を構成するインジウム、亜鉛及びチタンの合計量に占める各元素の原子比は、インジウムが24原子%以上80原子%以下、亜鉛が16原子%以上70原子%以下、チタンが0.1原子%以上20原子%以下である活性層と、前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁膜と、前記活性層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極とを具備する薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C01G 23/00 , C23C 14/34 , C23C 14/08 , C04B 35/453 , C04B 35/01

FI (9件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , C01G23/00 C , C23C14/34 A , C23C14/08 K , C23C14/08 C , C23C14/08 D , C04B35/453 , C04B35/01

Fターム (56件)：

4G047CA05 , 4G047CB08 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4K029AA24 , 4K029BA45 , 4K029BA48 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029GA01 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HL27 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN13 , 5F110NN14 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35

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