特許

J-GLOBAL ID：201803002632087410

トンネル磁気抵抗素子及びその製造方法

発明者： 安藤 康夫 ,  大兼 幹彦 ,  藤原 耕輔 ,  城野 純一
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017005608
公開番号（公開出願番号）：WO2017-141999
出願日： 2017年02月16日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：

トンネル磁気抵抗素子の耐熱性を向上し、より高温の磁場中熱処理後に優れた磁気抵抗特性を獲得させる。自由磁性層(4)は、絶縁層(5)に接合する強磁性層(43)、NiFeからなる軟磁性層(41)、及びこれらの間に介在する磁気結合層(42)を有し、当該磁気結合層の材料がRu又はTaからなり、層厚が1.0nmから1.3nmである。

請求項（抜粋）：

磁化の向きが固定された固定磁性層、外部からの磁場の影響を受けて磁化の向きが変化する自由磁性層、及び、前記固定磁性層と前記自由磁性層との間に配置された絶縁層により、磁気トンネル接合を形成し、前記固定磁性層の磁化の向きと前記自由磁性層の磁化の向きとの角度差に従ってトンネル効果により絶縁層の抵抗を変化させるトンネル磁気抵抗素子であって、 前記自由磁性層は、前記絶縁層に接合する強磁性層、NiFeからなる軟磁性層、及びこれらの間に介在する磁気結合層を有し、 前記磁気結合層の材料がRu又はTaからなり、層厚が1.0nmから1.3nmであることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01F 10/14

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01F10/14

Fターム (25件)：

5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC03 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA08 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25