特許
J-GLOBAL ID:201803002886810529
硫酸水素バナジウム(III )水和物の製造方法、及びバナジウムレドックス二次電池の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
河野 英仁
, 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-128042
公開番号(公開出願番号):特開2018-002506
出願日: 2016年06月28日
公開日(公表日): 2018年01月11日
要約:
【課題】容易に製造することができ、不純物の含有量が少なく、また、水和数を一定化することができ、使用時の硫酸水素バナジウム(III )の物質量を正確に制御することができる硫酸水素バナジウム(III )水和物の製造方法、及び硫酸水素バナジウム(III )水和物を用いて電極を製造するバナジウムレドックス二次電池の製造方法を提供する。【解決手段】3価のバナジウムイオン及び硫酸イオンを含み、硫酸イオンの濃度とバナジウムイオンの濃度との差が6.3mol/L以上である反応水溶液を調製し、反応水溶液を撹拌し、生成した硫酸水素バナジウム(III )水和物を反応水溶液から回収する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
3価のバナジウムイオン及び硫酸イオンを含み、該硫酸イオンの濃度と前記バナジウムイオンの濃度との差が6.3mol/L以上である反応水溶液を調製し、
前記反応水溶液を撹拌し、
生成した硫酸水素バナジウム(III )水和物を前記反応水溶液から回収することを特徴とする硫酸水素バナジウム(III )水和物の製造方法。
IPC (7件):
C01G 31/00
, H01M 4/58
, H01M 4/02
, H01M 4/04
, H01M 4/62
, H01M 8/18
, H01M 4/96
FI (7件):
C01G31/00
, H01M4/58
, H01M4/02 A
, H01M4/04 A
, H01M4/62 Z
, H01M8/18
, H01M4/96 B
Fターム (45件):
4G048AA07
, 4G048AB02
, 4G048AC06
, 4G048AD06
, 4G048AE05
, 5H018AA08
, 5H018AS02
, 5H018AS03
, 5H018BB00
, 5H018BB06
, 5H018BB12
, 5H018EE05
, 5H018EE11
, 5H018EE12
, 5H018HH05
, 5H018HH08
, 5H026AA10
, 5H026BB00
, 5H026BB03
, 5H026BB08
, 5H026EE05
, 5H026EE11
, 5H026EE12
, 5H026HH05
, 5H026HH08
, 5H050AA19
, 5H050BA08
, 5H050CA01
, 5H050CB01
, 5H050DA10
, 5H050EA08
, 5H050GA02
, 5H050GA10
, 5H050HA02
, 5H050HA10
, 5H050HA14
, 5H126BB10
, 5H126GG05
, 5H126GG11
, 5H126GG12
, 5H126HH00
, 5H126HH03
, 5H126HH08
, 5H126JJ05
, 5H126JJ08
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