特許
J-GLOBAL ID：201803002895476550
プラズマ原子層蒸着法を用いたシリコン窒化薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
林 一好
, 芝 哲央
, 齋藤 拓也
, 岩池 満
, 小菅 一弘
, 林 浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-507515
公開番号（公開出願番号）：特表2018-528610
出願日： 2016年07月14日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：
本発明は、プラズマ原子層蒸着法を用いたシリコン窒化薄膜の製造方法に関し、より詳細には、特定のSi-N結合を有するアミノシラン誘導体をプラズマ原子層蒸着法に適用することで、より低いパワーおよび成膜温度条件で高品質のSi-N結合を含むシリコン窒化薄膜を製造する方法を提供する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
アミノシラン誘導体またはシラザン誘導体を基板上に吸着させる第1ステップと、
前記基板に反応ガスを注入しながらプラズマを発生させて、Si-N結合の原子層を形成させる第2ステップと、を含み、
前記プラズマのパワー(Pp1)および照射量(PD)が下記条件を満たすことを特徴とする、プラズマ強化原子層蒸着(PEALD)によるシリコン窒化薄膜の製造方法。
50W≦Pp1≦300W
1.0Wsec/cm2≦PD≦4.0Wsec/cm2
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 16/42
, C23C 16/455
, C23C 16/50
H01L21/316 X
, C23C16/42
, C23C16/455
, C23C16/50
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA11
, 4K030JA16
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F058BA08
, 5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BF07
, 5F058BF22
, 5F058BF30
, 5F058BF37
