特許

J-GLOBAL ID：201803003026630325

SiC単結晶の製造方法

発明者： 大黒 寛典 ,  加渡 幹尚 ,  吉川 健 ,  川西 咲子
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-184830
公開番号（公開出願番号）：特開2018-048044
出願日： 2016年09月21日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：

【課題】4H-SiC単結晶を安定して成長させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶保持軸に保持した種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、種結晶基板が、4H-SiCであり、且つ(000-1)面及び(000-1)面の周囲の{1-10k}面(kは1〜4の整数)を有すること、並びに(000-1)面及び{1-10k}面から結晶成長を行うこと、を含む、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶保持軸に保持した種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 前記種結晶基板が、4H-SiCであり、且つ(000-1)面及び前記(000-1)面の周囲の{1-10k}面(kは1〜4の整数)を有すること、並びに 前記(000-1)面及び前記{1-10k}面から結晶成長を行うこと、 を含む、SiC単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077CC04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077LA01