特許

J-GLOBAL ID：201803003118266271

イオンプレーティング用ターゲット材料および該イオンプレーティング用ターゲット材料の製造方法

発明者： 成田 宏一 ,  三浦 健一 ,  園村 浩介 ,  小畠 淳平 ,  垣辻 篤 ,  渡辺 義人 ,  山東 悠介
出願人/特許権者： 日研ツール株式会社 ,  地方独立行政法人大阪府立産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 藤本 昇 ,  中谷 寛昭 ,  日東 伸二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-205107
公開番号（公開出願番号）：特開2018-066039
出願日： 2016年10月19日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：

【課題】体積抵抗率が比較的小さく、かつ熱衝撃に対して十分な耐性を有するイオンプレーティング用ターゲット材料の提供。【解決手段】ホウ素粉末と繊維状カーボン材料とを含み、前記ホウ素粉末と前記繊維状カーボン材料とは、前記ホウ素粉末中のホウ素原子と前記繊維状カーボン材料中の炭素原子との原子比が4:1〜6:1となるように含まれており、見掛け密度が1.34g/cm3〜1.67g/cm3であるイオンプレーティング用ターゲット材料。前記ホウ素粉末と前記繊維状カーボン材料とを、前記の原子比となる様に混合して混合物を調製する混合物調製工程と、前記混合物を加圧しつつ、1000°C〜1300°Cの温度で焼結させる焼結工程と、を備える、イオンプレーティング用ターゲット材料の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ホウ素粉末と繊維状カーボン材料とを含み、 前記ホウ素粉末と前記繊維状カーボン材料とは、前記ホウ素粉末中のホウ素原子と前記繊維状カーボン材料中の炭素原子との原子比が4:1〜6:1となるように含まれており、 見掛け密度が1.34g/cm3〜1.67g/cm3である、 イオンプレーティング用ターゲット材料。

IPC (1件)：

C23C 14/32

FI (1件)：

C23C14/32 A

Fターム (3件)：

4K029BA59 ,  4K029CA04 ,  4K029DD06

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-094404
  
• 特開平4-057604
  
• 炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-239028   出願人：学校法人同志社