特許

J-GLOBAL ID：201803003196279339

ヘテロアセン誘導体の製造方法

発明者： 渡辺 真人 ,  上田 さおり ,  宮下 真人
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-150245
公開番号（公開出願番号）：特開2018-016606
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
要約：

【課題】 簡便に高収率で高純度のヘテロアセン誘導体を製造する方法を提供する。【解決手段】 ヘテロアセン誘導体の溶液を極性不純物吸着剤と接触させた後、再結晶する工程を含む高純度ヘテロアセン誘導体の製造方法であり、該ヘテロアセン誘導体が分子内に一つ以上のチオフェン環を含む4から7縮合環構造を有するヘテロアセン誘導体であり、該極性不純物吸着剤が該ヘテロアセン誘導体のアルキル基に二重結合を有するもの及び/又は縮合環部にヒドロキシ基若しくはカルボニル基を有するものを吸着除去する吸着剤であることを特徴とする高純度ヘテロアセン誘導体の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ヘテロアセン誘導体の溶液を極性不純物吸着剤と接触させた後、再結晶する工程を含む高純度ヘテロアセン誘導体の製造方法であり、該ヘテロアセン誘導体が分子内に一つ以上のチオフェン環を含む4から7縮合環構造を有するヘテロアセン誘導体であり、該極性不純物吸着剤が該ヘテロアセン誘導体のアルキル基に二重結合を有するもの及び/又は縮合環部にヒドロキシ基若しくはカルボニル基を有するものを吸着除去する吸着剤であることを特徴とする高純度ヘテロアセン誘導体の製造方法。

IPC (9件)：

C07D 333/50 ,  C07D 495/04 ,  C07D 495/22 ,  C07D 495/14 ,  C07F 7/12 ,  B01J 20/08 ,  B01J 20/18 ,  B01J 20/12 ,  B01J 20/10

FI (9件)：

C07D333/50 ,  C07D495/04 101 ,  C07D495/22 ,  C07D495/14 A ,  C07F7/12 W ,  B01J20/08 A ,  B01J20/18 B ,  B01J20/12 A ,  B01J20/10 A

Fターム (33件)：

4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB02 ,  4C071BB03 ,  4C071BB05 ,  4C071BB06 ,  4C071BB07 ,  4C071BB08 ,  4C071CC22 ,  4C071CC23 ,  4C071CC24 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071KK16 ,  4C071LL07 ,  4G066AA20B ,  4G066AA30B ,  4G066AA61B ,  4G066AA64B ,  4G066BA36 ,  4G066CA22 ,  4G066DA10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ62 ,  4H049VR24 ,  4H049VU24 ,  4H049VV02 ,  4H049VW02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ジチエノベンゾジチオフェン誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-072226   出願人：東ソー株式会社
• ジチエノベンゾジチオフェン誘導体及びこれを用いた有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-072227   出願人：東ソー株式会社
• ジチエノベンゾジチオフェン誘導体からなる有機半導体材料前駆体、インク、絶縁部材、電荷輸送性部材、有機電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-029071   出願人：株式会社リコー

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Proceedings Indian Academy of Sciences Sec A, 1953, 37A, 114-119
• Bulletin des Societes Chimiques Belges, 1956, 65, 874-898