特許

J-GLOBAL ID：201803003260730759

電力変換装置

発明者： 渡部 一喜 ,  岩澤 佳祐 ,  三木 隆義
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131201
公開番号（公開出願番号）：特開2018-007403
出願日： 2016年07月01日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】ブートストラップ回路に含まれるダイオードの特性に依存することなく、ブートストラップ回路からのノイズを低減することができる電力変換装置を提供する。【解決手段】ブートストラップ回路2は、低電位側半導体スイッチング素子13を制御する低電位側駆動回路17に供給される第2の直流電力DC2が入力される電力入力端子IPと、高電位側半導体スイッチング素子12を制御する高電位側駆動回路16に第3の直流電力DC3を供給するコンデンサ23とを含む。ブートストラップ回路2は、電力入力端子IPとコンデンサ23の第1の端子P21との間に、直列に接続された充電用ダイオード21と電流制限部22とを含む。高電位側半導体スイッチング素子12がオン状態からオフ状態に変化する時刻よりも前の時刻に、電流制限部22は、電力入力端子IPと第1の端子P21の間の電流経路を遮断する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外部から供給される第1の直流電力を交流電力に変換して、出力端子から前記交流電力を出力する電力変換装置であって、 前記第1の直流電力が伝送される高電位側の母線と低電位側の母線との間に直列に接続される高電位側半導体スイッチング素子と低電位側半導体スイッチング素子と、 前記高電位側半導体スイッチング素子および前記低電位側半導体スイッチング素子のそれぞれに逆並列で接続される2つの還流用ダイオードと、 外部から入力される第1の制御信号に基づいて、前記高電位側半導体スイッチング素子をオン状態またはオフ状態のいずれかの状態に制御する高電位側駆動回路と、 外部から入力される第2の制御信号に基づいて、前記低電位側半導体スイッチング素子をオン状態またはオフ状態のいずれかの状態に制御する低電位側駆動回路と、 前記低電位側駆動回路を動作させるために第2の直流電力を供給する電源回路と、 ブートストラップ回路とを備え、 前記ブートストラップ回路は、 前記第2の直流電力が入力される電力入力端子と、 第1の端子と、第2の端子とを有し、前記高電位側駆動回路に第3の直流電力を供給するコンデンサとを含み、 前記ブートストラップ回路は、さらに、 前記電力入力端子と、前記コンデンサの第1の端子との間に、直列に接続された充電用ダイオードと電流制限部とを含み、 前記充電用ダイオードの順方向が、前記電力入力端子から前記コンデンサの第1の端子への方向であり、 前記高電位側半導体スイッチング素子がオフ状態からオン状態に変化する時刻よりも前の時刻において、前記電流制限部は、前記電力入力端子と前記コンデンサの第1の端子の間の電流経路を遮断する、電力変換装置。

IPC (4件)：

H02M 1/08 ,  H02M 7/48 ,  H03K 17/06 ,  H03K 17/56

FI (4件)：

H02M1/08 C ,  H02M7/48 M ,  H03K17/06 063 ,  H03K17/56 Z

Fターム (25件)：

5H740AA02 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740HH07 ,  5H740KK01 ,  5H770AA05 ,  5H770BA01 ,  5H770CA05 ,  5H770DA03 ,  5H770DA41 ,  5H770GA03 ,  5H770GA04 ,  5H770GA07 ,  5H770HA02Y ,  5H770JA17Z ,  5J055AX06 ,  5J055DX09 ,  5J055EX07 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EZ18 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04