特許
J-GLOBAL ID：201803003330823440

MEMSデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーター

発明者：
山田 大介

山田 大介 について

, 
平井 栄樹

平井 栄樹 について

, 
小西 晃雄

小西 晃雄 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 津久井 照保 ,  吉岡 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-125257
公開番号（公開出願番号）：特開2017-229194
出願日： 2016年06月24日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：
【課題】電圧降下等が抑制された出力の高いMEMSデバイス、圧電アクチュエーター、及び、超音波モーターを提供する。【解決手段】基板(24)の第1の面(39)側から順に第1の電極層(28)、圧電体層(29)、及び、第2の電極層(30)が積層されたMEMSデバイスであって、基板(24)の第1の面(39)とは反対側の第2の面(40)に第1の配線層(28)が積層され、第1の電極層(28)と第1の配線層(34)とは、基板(24)を貫通する貫通配線(37)を介して接続されたことを特徴とするMEMSデバイス。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板の第1の面側から順に第1の電極層、圧電体層、及び、第2の電極層が積層されたMEMSデバイスであって、 前記基板の前記第1の面とは反対側の第2の面に第1の配線層が積層され、 前記第1の電極層と前記第1の配線層とは、前記基板を貫通する貫通配線を介して接続されたことを特徴とするMEMSデバイス。
IPC (1件)：
H02N 2/12
FI (1件)：
H02N2/12
Fターム (15件)：
5H681AA06 ,  5H681BB02 ,  5H681BB11 ,  5H681CC02 ,  5H681DD23 ,  5H681DD39 ,  5H681DD40 ,  5H681FF04 ,  5H681FF17 ,  5H681GG02 ,  5H681GG11 ,  5H681GG22 ,  5H681GG23 ,  5H681GG25 ,  5H681GG27
引用特許：
審査官引用 (3件)

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