特許
J-GLOBAL ID：201803003453295960
プラズマ増強プロセスにおけるウェブ状基材の処理のためのデバイス
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
村山 靖彦
, 実広 信哉
, 阿部 達彦
, 井戸川 義信
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-567721
公開番号（公開出願番号）：特表2018-527697
出願日： 2016年06月28日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：
本発明はプラズマ増強プロセスにてウェブ状基材(15a)を連続処理するためのデバイス(10)に関する。デバイス(10)は真空プロセス室と処理ステーション(12a、12b)を含み、プラズマ処理ユニット(13a、13b)は基材(15a)の表面を処理するためにプロセス室内にプラズマゾーン(14a、14b)を形成する処理ステーション(12a、12b)に割り振られる。デバイス(10)はステーション(12a、12b)を通じて基材(15a、15b)を連続輸送するための輸送システムを含み、アンワインドローラー(20)とリワインドローラー(21)を備え、輸送システムはプロセス室を通じて基材(15a)の輸送経路を画成する。ユニット(13a、13b)は延長アンテナと延長アンテナをその共振周波数の少なくとも1つに励起する無線周波発生器とを含み、プロセス室内の輸送システムは基材(15a)用の処理経路セクションを画成し、基材(15a)用の処理経路セクションは延長アンテナとは反対の側にあり、相隔てて並ぶ。
請求項（抜粋）：
プラズマ増強プロセスにおいてウェブ状基材(15a)を連続的に処理するためのデバイス(10)であって、プロセス室とともに少なくとも1つの処理ステーション(12a、12b)を含み、少なくとも1つのプラズマ処理ユニット(13a、13b)は、前記ウェブ状基材(15a)の表面を処理するために前記プロセス室内にプラズマゾーン(14a、14b)を形成するように設計されている前記少なくとも1つの処理ステーション(12a、12b)に割り振られ、前記デバイス(10)は、前記少なくとも1つの処理ステーション(12a、12b)を通じて前記ウェブ状基材(15a、15b)を連続的に輸送するための輸送システムをさらに含み、アンワインドローラー(20)およびリワインドローラー(21)を備え、前記輸送システムは、前記プロセス室を通じて前記ウェブ状基材(15a)の輸送経路を画成するデバイスにおいて、
前記プラズマ処理ユニット(13a、13b)は、少なくとも1つの延長アンテナ(9)と前記延長アンテナ(9)をその共振周波数のうちの少なくとも1つに励起するための少なくとも1つの無線周波(RF)発生器(82)とを含み、
前記延長アンテナ(9)は、複数の相互接続された基本共振メッシュ(M1、M2、M3)を備え、各メッシュは少なくとも2つの導電性脚部(1、2)および少なくとも2つのコンデンサ(5、6)を備え、
前記プロセス室内の前記輸送システムは、前記ウェブ状基材(15a)用の処理経路セクションを画成し、前記ウェブ状基材(15a)用の前記処理経路セクションは、前記延長アンテナ(9)とは反対の側にあることを特徴とするデバイス(10)。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (33件)：
2G084AA03
, 2G084AA04
, 2G084BB12
, 2G084BB13
, 2G084BB14
, 2G084BB35
, 2G084CC13
, 2G084CC17
, 2G084CC33
, 2G084DD03
, 2G084DD14
, 2G084DD32
, 2G084DD33
, 2G084DD38
, 2G084DD57
, 2G084FF27
, 4G075AA29
, 4G075AA30
, 4G075BA05
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075DA03
, 4G075EB41
, 4G075EC21
, 4G075EC30
, 4G075ED04
, 4G075FB01
, 4G075FB02
, 4G075FB04
, 4G075FB06
, 4G075FB12
