特許

J-GLOBAL ID：201803003502880475

半導体装置、内燃機関用点火装置及び内燃機関システム

発明者： 西村 一廣 ,  河本 厚信 ,  山本 剛司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016066026
公開番号（公開出願番号）：WO2017-208343
出願日： 2016年05月31日
公開日（公表日）： 2017年12月07日
要約：

高圧電極(5)の一端が半導体素子(1)の高圧端子に接続されている。低圧電極(6)の一端が半導体素子(1)の低圧端子に接続されている。樹脂(15)が半導体素子(1)、高圧電極(5)の一端、及び低圧電極(6)の一端を封止する。第1及び第2の放電電極(16,17)が、高圧電極(5)及び低圧電極(6)の樹脂(15)で覆われていない部分にそれぞれ設けられ、互いに対向するように突出している。

請求項（抜粋）：

高圧端子と低圧端子を有する半導体素子と、 前記高圧端子に一端が接続された高圧電極と、 前記低圧端子に一端が接続された低圧電極と、 前記半導体素子、前記高圧電極の一端、及び前記低圧電極の一端を封止する樹脂と、 前記高圧電極及び前記低圧電極の前記樹脂で覆われていない部分にそれぞれ設けられ、互いに対向するように突出した第1及び第2の放電電極とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/62 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  F02P 3/055

FI (3件)：

H01L23/56 A ,  H01L25/04 C ,  F02P3/055 D

Fターム (3件)：

3G019BA01 ,  3G019CA11 ,  3G019FA31