特許

J-GLOBAL ID：201803003596757132

疎水性ホスホネートおよびシラン化合物

発明者： リンフォード、マット ,  ディワン、アナブハフ ,  レーン、フレッド
出願人/特許権者： モックステック・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-537937
公開番号（公開出願番号）：特表2018-512604
出願日： 2016年03月29日
公開日（公表日）： 2018年05月17日
要約：

化合物、化合物を付着させる方法および化合物のコーティングを備えるデバイスの実施形態は、例えば腐食、水の張力、粉塵および酸化などの危害からデバイスを保護するのに用いられ得る。上記デバイス(10)は、基板(11)上に位置するホスホネートコーティング、シランコーティングまたはその両方を含み得る。上記シランコーティングは、下記化学式(1)、下記化学式(2)またはそれらの組み合わせを含み得、上記ホスホネートコーティングは、下記化学式(3)を含み得る。【化16】【化17】【化18】(式中、R1は、疎水基であり得、R3およびR5は、任意の化学元素または化学基であり得、rは、正の整数であり得、XおよびZは各々、上記基板(11)への結合であり得る。)

請求項（抜粋）：

a. 基板と、 b. 前記基板上に位置するホスホネートコーティングと を備え、 前記ホスホネートコーティングは、下記化学式

IPC (1件)：

G02B 5/30

FI (1件)：

G02B5/30

Fターム (7件)：

2H149BA03 ,  2H149BA23 ,  2H149CA02 ,  2H149CB01 ,  2H149FA01X ,  2H149FA41X ,  2H149FD22