特許

J-GLOBAL ID：201803003758886330

半導体モジュール

発明者： 池田 康亮 ,  鈴木 健一
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (5件)： 出口 智也 ,  永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016070958
公開番号（公開出願番号）：WO2018-011969
出願日： 2016年07月15日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：

半導体モジュールは、一端が第1配線に接続され、他端が第2配線に接続され、第1配線から第2配線へ向かう第1電流方向に第1素子電流が流れる第1電子素子と、一端が第3配線に接続され、他端が第4配線に接続され、第3配線から第4配線へ向かう第2電流方向に第2素子電流が流れる第2電子素子と、を備え、第1電子素子と第2電子素子とは、第1電流方向に流れる第1素子電流により生成される第1磁束の少なくとも一部が、第2電流方向に流れる第2素子電流により生成される第2磁束の少なくとも一部を打ち消して、相互インダクタンスが低減すように、配置されている。

請求項（抜粋）：

一端が第1配線に接続され、他端が第2配線に接続され、前記第1配線から前記第2配線へ向かう第1電流方向に第1素子電流が流れる第1電子素子と、 一端が第3配線に接続され、他端が第4配線に接続され、前記第3配線から前記第4配線へ向かう第2電流方向に第2素子電流が流れる第2電子素子と、を備え、 前記第1電子素子と前記第2電子素子とは、前記第1電流方向に流れる前記第1素子電流により生成される第1磁束の少なくとも一部が、前記第2電流方向に流れる前記第2素子電流により生成される第2磁束の少なくとも一部を打ち消して、相互インダクタンスが低減すように、配置されている ことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/48

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H02M7/48 Z

Fターム (13件)：

5H770AA22 ,  5H770CA06 ,  5H770DA01 ,  5H770DA11 ,  5H770DA41 ,  5H770DA44 ,  5H770DA46 ,  5H770JA10X ,  5H770JA19X ,  5H770LA01X ,  5H770LA02X ,  5H770QA04 ,  5H770QA06