特許
J-GLOBAL ID:201803004063030709

後方反射アイソレータを有する集積レーザー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-551073
公開番号(公開出願番号):特表2018-513556
出願日: 2016年03月28日
公開日(公表日): 2018年05月24日
要約:
集積回路は、アイソレータ上に配設された、レンズを有する光源(レーザーなど)を備える。このアイソレータは、光カプラおよび光導波路を含むシリコン・オン・インシュレータ(SOI)プラットフォームの半導体層上に配設される。動作中、光源は、レンズが光信号を収束するように、アイソレータに向かって伝播する光信号を生成する。さらに、アイソレータは光源に向かう光信号の後方反射を抑制し、光カプラは光信号を光導波路内に結合する。
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板上に配設された埋め込み酸化物(BOX)層と、 前記BOX層上に配設された半導体層とを備え、前記半導体層は光カプラと光導波路とを含み、動作中、前記光カプラは光信号を前記光導波路内に結合し、 前記半導体層上に配設されたアイソレータと、 前記アイソレータ上に配設され、レンズを含む光源とを備え、動作中、前記光源は前記アイソレータに向かって伝播する光信号を生成し、前記レンズは前記光信号を収束させ、 動作中、前記アイソレータは、前記光源に向かう前記光信号の後方反射を減少させる、集積回路。
IPC (3件):
H01S 5/026 ,  G02B 6/12 ,  G02B 27/28
FI (4件):
H01S5/026 610 ,  G02B6/12 301 ,  G02B27/28 A ,  H01S5/026 618
Fターム (31件):
2H147AB04 ,  2H147AB21 ,  2H147AB22 ,  2H147BD11 ,  2H147BG02 ,  2H147BG04 ,  2H147CA25 ,  2H147CB03 ,  2H147CB05 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA23A ,  2H147FA04 ,  2H147FA08 ,  2H147FA09 ,  2H147FC02 ,  2H147FC03 ,  2H199AA02 ,  2H199AA05 ,  2H199AA13 ,  2H199AA19 ,  2H199AA29 ,  2H199AA30 ,  2H199AA35 ,  2H199AA70 ,  5F173AD06 ,  5F173AD16 ,  5F173AD20 ,  5F173AD30 ,  5F173AR99
引用特許:
審査官引用 (5件)
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